Nano-Micro LettersAl2O3缓冲层对原子层沉积溅射VO2薄膜性能的影响
1Nano-Micro Letters 发布于 2017-03-20
论文概述 VO2在接近室温下（65 ℃）会发生相变（M相→R相），从而导致其电学和光学性能发生显著改变。这种金属-绝缘体转变的特性在电磁波调制器、开关、全息存储、THz波长器件等电子器件领域具有广阔的应用前景。通常，在Si/SiO2基底上制备生长VO2薄膜，而两者之间的点阵...
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Nano-Micro Letters 发布于 2017-03-20
论文概述 VO2在接近室温下（65 ℃）会发生相变（M相→R相），从而导致其电学和光学性能发生显著改变。这种金属-绝缘体转变的特性在电磁波调制器、开关、全息存储、THz波长器件等电子器件领域具有广阔的应用前景。通常，在Si/SiO2基底上制备生长VO2薄膜，而两者之间的点阵...
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