Nano-Micro Letters二维材料具有一系列优异的电学、热学、力学和光学性能，近年来受到研究者们极大的关注与研究热情。石墨烯是研究最为广泛的二维材料，然而石墨烯的零带隙特性阻碍其在电子器件领域的应用。例如高性能场效应晶体管（FET）器件，需要同时满足高载流子迁移率、良好的欧姆接触、合适的带隙（~1eV）三个基本条件。过渡金属硫化物作为另一类典型的二维材料，在单原子层状态下具有满足FET需求的非零直接带隙，例如MoS2(1.8 eV), WS2 (2.1 eV), MoTe2 (1.1 eV), WSe2 (1.7 eV)，因此在开关器件（如FET）方面有很高的应用前景。有鉴于此，悉尼大学JiabaoYi课题组近期在Nano-MicroLetters 上发表综述文章，详细总结了二维过渡金属硫化物（TMDC）材料制备方法、电子性能、以及TMDC电子器件的载流子迁移率研究进展。分析了TMDC电子器件兼顾高电子迁移率和高电流开关比所面临的难题。最后，列举出一系列提高TMDC器件载流子迁移率的方法并对该领域的发展前景作出展望。
文章引用信息
表 1 二维材料系[ 1, 9, 20，29, 42, 66 – 70 ]
图 1 液相剥离过程中的变化示意图: a) 嵌入层， b)离子交换，c)超声剥离，d) CVD过程示意图，e) 通过浸渍退火技术合成大面积的MoS2纳米片示意图
图 2 理想化的N-轨道结合FET
图 3 FET树状图
图 4 a-c )单层MoS2晶体管的制备工艺, d-e) 单层MoS2晶体管的闸门压控制
图 5 a)有效的空穴迁移率作为一个栅过驱动功能 , b) p型单层WSe2装置的输出特性
图 6 a) 电子迁移率为介电常数函数，虚线表明流动性没有考虑SO声子，b) 临界杂质密度Ncr，c) 被不同电介质包围的单层MoS2的室温电子迁移率，d) 考虑各种散射机理的单层MoS2的室温网电子迁移作为杂质密度的函数（N）
图 7 a) 一种基于异质结构的MoS2场效应管、h-BN和石墨烯，b) 通过垂直堆叠二硫化钼（N型）和WSe2（P型）而制备的P–N结
图 8 单层2维TMDC材料的电荷载流子迁移率理论
Nano-Micro Letters《纳微快报》
Nano-Micro Letters《纳微快报》是严格评审的国际英文学术期刊，快速报道与纳米/微米尺度相关的高水平研究成果和评论文章，尤其关注从纳米到微米的自下而上的工作，旨在推动纳微科技的发展和应用。期刊与Springer合作，以Open Access出版。采用国际一流的Scholarone Manuscripts编审系统。目前，NML期刊已被SCI、EI、SCOPUS、DOAJ、知网、万方等数据库收录。最新影响因子达到了4.849，材料学科和物理学科位于Q1区。2014和2016年连续入选“中国科技期刊国际影响力提升计划”（D类和B类），2016-2018年入选“上海市高水平高校学术期刊支持计划（A）”。2015和2016年均获“中国最具国际影响力学术期刊”，2016年获“2016年全国高校杰出科技期刊奖“和”上海市高校精品科技期刊奖”。
期刊执行严格的同行评议，提供英文润色、图片精修、封面图片设计等服务。出版周期1-8周，高水平论文可加快出版。所有文章在期刊网站、Facebook、Twitter、微信、微博、科学网博客等同步推出。欢迎关注和投稿。
联系方式：
Editorial Office of Nano-Micro Letters
Tel: 86-21-34207624
E-mail: editorial_office@nmletters.org
APP: nano-micro letters
Web: springer.com/40820 & nmletters.org
Facebook: facebook.com/nanomicroletters
Twitter: twitter.com/nmletters
WeChat: nanomicroletters
如果文章对您有帮助，可以与别人分享！：Nano-Micro Letters » 综述：二维过渡金属硫化物在FET中的载流子迁移率
首尔国立大学综述：用于神经形态计算的二维过渡金属硫族化物忆阻器件
NML高被引文章 | 二维先进材料（碲烯/CN/BN/Xenes/黑磷等)
竹源纳米纤维异质结衍生碳：环境自适应的宽频电磁波吸收材料
封面文章：后摩尔时代电子信息器件——二维材料的自旋电子学