VO2在接近室温下（65 ℃）会发生相变（M相→R相），从而导致其电学和光学性能发生显著改变。这种金属-绝缘体转变的特性在电磁波调制器、开关、全息存储、THz波长器件等电子器件领域具有广阔的应用前景。通常，在Si/SiO2基底上制备生长VO2薄膜，而两者之间的点阵错配、氧扩散往往导致薄膜质量下降。鉴于此，电子科技大学文天龙副教授课题组利用原子层沉积方法，在硅基底上溅射了VO2，并在VO2薄膜与Si基体之间引入了一层Al2O3缓冲层。与直接沉积的VO2薄膜相比，缓冲层的引入大大提高了物理性能。此外，发现Al2O3缓冲层能降低电驱动相变过程中的漏电流和焦耳热。
Dainan Zhang. Tianlong Wen . Ying Xiong . Donghong Qiu . Qiye Wen, Effect of Al2O3 Buffer Layers on the Properties of Sputtered VO2 Thin Films. Nano-Micro Lett. (2017) 9:29:1–8http://dx.doi.org/10.1007/s40820-017-0132-x此工作发表于Nano-Micro Letters期刊2017年第9卷第3期，详情请阅读全文，可免费下载全文。本文同步在期刊微信、微博、科学网博客、APP、Facebook、twitters等平台推出。以往推文请关注中文推广网站（http://nmsci.cn）。作者介绍
电子科技大学微电子与固体学院，副教授，华盛顿大学（西雅图）博士，卡耐基梅隆大学博士后。在ACS Nano, Adv. Mater., Nano Lett. 等期刊上发表论文近30篇。4次担任国际磁性与磁性材料会议 (MMM conference) 纳米颗粒点阵分会主席，Journal of Optics and Photonics 杂志编委.
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