华科高义华等：Cu⁰/Cu⁺共修饰的过渡金属氧化物高效超级电容器电极材料

2. 制备的独特结构克服了金属氧化物(CoO、NiO)导电性差的致命缺点，同时其协同作用促进了电化学反应的高效进行，并且循环稳定性也有显著提高。

3. 此改性策略在金属氧化物电极材料中具有可推广性；通过理论计算，证实了通过共掺杂可有效调控其电子结构，显著提高材料电导率和电子输运。

图1. CoO、Cu⁺离子掺杂CoO以及Cu⁰/Cu⁺共掺杂CoO的制备流程示意图。

图2. (a, b) 煅烧温度为450°时不同铜源的XRD。(c-f) 性能最优样品的XPS (煅烧温度450℃，铜源加入量0.2 mmol)。

图3为存储性能最优样品的SEM和TEM表征图。该纳米结构呈花状放射性结构。纳米花整体长度和单根纳米线宽度分别约为10 μm和50 nm。选区电子衍射证实了金属铜的存在，且HRTEM表明，金属铜与CoO构筑异质结构。元素mapping图和EDS图进一步说明了Cu的成功掺杂。

图3. (a-c) SEM图像；(d, e) TEM图像；(f) HRTEM图像；(g) 选区电子衍射图像；(h) STEM图像及其元素mapping图；(i) EDS分析。

图4. (a-e) 对比CoO，铜离子(Cu⁺)掺杂CoO以及Cu⁰/Cu⁺共掺杂CoO的电化学性能；(f) 性能最优样品循环1万圈前后CV曲线对比；(g-i) 性能最优样品电极反应过程动力学分析。

图5. (a-c) Cu⁰/Cu⁺共掺杂NiO的SEM和TEM图像；(d-f) 为对比NiO，铜离子(Cu⁺)掺杂NiO以及Cu⁰/Cu⁺共掺杂NiO的电化学数据。

图6. (a, c, e) CoO，铜离子(Cu⁺)掺杂CoO以及Cu⁰/Cu⁺共掺杂CoO结构的DFT计算模型；(b, d, f) 相对应的结构态密度(DOS)图。